Над технологией работала научно-исследовательская лаборатория инженерной химии НИИ химии Университета Лобачевского. Помимо удаления примесей из диоксида кремния, исследователи предложили способ одновременно контролировать несколько свойств его наночастиц.

Разработчики могут получать частицы нужной формы и размера, добиваться высокой однородности и стабильности материала при низком содержании примесей. Эти параметры определяют, подойдет ли порошок для изготовления микросхем.

Назначение технологии пояснила Ксения Отвагина — руководитель исследования, кандидат химических наук, научный сотрудник научно-исследовательской лаборатории инженерной химии. Метод очищает аморфный диоксид кремния, который применяют при химико-механической полировке полупроводниковых пластин и в других процессах, где нужны абразивные наноматериалы высокой чистоты.

В ННГУ имени Н. И. Лобачевского подготовили технологическую линию и регламент выпуска продукта. С их помощью исследователи получили устойчивую суспензию, которую индустриальный партнер должен опробовать.

Отвагина объяснила, что геометрия и однородность частиц влияют на результат обработки пластин, а через него — на надежность и производительность электроники. По оценке исследователя, российские материалы с управляемыми свойствами помогут развивать отечественную микроэлектронику и сократить зависимость от иностранных поставщиков.

Ректор ННГУ имени Н. И. Лобачевского Олег Трофимов заявил, что университет намерен сопровождать разработку на всех этапах — от фундаментальной науки до серийного внедрения. Увеличение масштаба процесса и испытания у индустриального партнера ректор назвал подтверждением того, что работа идет в нужном направлении.

Потребность в собственных материалах, не уступающих зарубежным по характеристикам, стала особенно острой из-за ограничений поставок.

Источник: ТАСС